激光硼摻雜技術(shù)

Laser boron doping technology

應(yīng)用原理 / Principle

激光硼摻雜技術(shù)是在現(xiàn)有PERC電池技術(shù)基礎(chǔ)上，通過沉積或印刷硼摻雜源，在激光背面開槽過程中，同步形成激光重摻雜區(qū) P++層。其中激光摻雜形成的P++層，可以有效的降低背面接觸復(fù)合速率，同時降低背面硅鋁接觸電阻，提升太陽電池開路電壓Voc和填充因子FF，提升電池轉(zhuǎn)換效率。

工藝簡介

Process Introduction

激光硼摻雜技術(shù)是PERC電池技術(shù)未來升級的方向之一。采用CVD沉積或者印刷方式，在PERC藍膜片背面形成一層硼摻雜源，通過激光開槽過程中的熱效應(yīng)，將硼元素同步摻雜進硅襯底中，形成P++層，即重摻雜區(qū)。一方面，重摻雜區(qū)形成P++P高低結(jié)，形成場鈍化效應(yīng)，另一方面，可有效降低鋁硅接觸電阻，從這兩方面提升Voc 和FF，進而提高太陽電池轉(zhuǎn)換效率。